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研究開発部門
LS26_02【横浜】研究開発（深紫外LED素子）
| 職務内容 |
【募集の背景】
世界中の人々に安心・安全な生活を提供するため、除菌紫外線LEDの開発を行っています。当社は基板から結晶成長、半導体プロセス、パッケージ化、応用製品まで自社技術で一貫して開発製造販売を行ってます。さらなる性能向上に向け、次世代素子の開発を任せらる仲間を募集しています。
【配属部門の概要】
LED、レーザを中心に光源デバイスの研究開発を担う部門です。
【担当する業務（概要）】
深紫外LED素子開発
【担当する業務（詳細）】
・深紫外LEDの構造設計、結晶成長、結晶評価、素子化プロセス、素子特性評価（電気特性・光学特性）、シミレーション、各種信頼性評価、データ解析、故障解析等を行っていただきます。
【担当製品の特長・魅力・将来性】
当社の深紫外LEDは、ウイルスの不活化に有効な265nmの発光波長を有し、
水銀フリー社会を実現に向け、除菌用ランプ代替光源として期待されています。
【仕事の魅力及び職場環境（裁量・責任感・雰囲気など）】
人々の暮らしの安心安全を実現し、社会に貢献できる新しい製品を生み出すやりがいのある仕事です。設計部門、生産部門とも連携し、一丸となって開発を進めています。
【入社後の中長期的なキャリアパス】
研究開発をリードするマネジメント職、研究技術を下支えする技術管理職のどちらに進むかはご本人の希望と上司との話し合いにより適性を見極めて選択可能です。
【配属部署】
研究開発統括部 光源部 L03課
【働き方について】
フレックスタイム、在宅勤務2日/月程度
【外出・出張の有無】
試作や評価のため国内の生産工場や共同研究先への外出、出張などの可能性があります。 |
| 応募資格 |
【求めるスキル】
・光半導体素子開発に関する実務経験（3年以上）
【歓迎スキル】
・半導体素子設計の知識・経験
・半導体プロセスの知識・経験
フォトリソグラフィ
結晶成長（MOCVD）
成膜（スパッタ、CVD、真空蒸着）
エッチング（ICP-RIE、Deep-RIE、ウェットプロセス）
評価・分析（X線回折、電子顕微鏡、AFM、分光測定 など）
【求める人物像】
・新しいことに興味を持て、スキルアップを目指す意欲のある方
・困難な業務にも前向きに取り組める行動力のある方
・積極的にコミュニケーションを取れる協調性のある方
【語学】
入社時不問 |
| 待遇 |
【業務内容/変更の範囲】
会社の定める全ての業務
【雇用形態】
正社員
【試用期間】
なし（経験年数やスキルに応じて半年間の試用期間を定める場合がございます）
【報酬】
基本給23万円〜38万円／月
※スキル・経験に応じて前後する場合がございます。
※別途下記手当あり
こども手当／住宅手当／時間外手当／通勤手当
（会社規定に基づく）
※年収例（賞与／各種手当／時間外手当含む）
��20代：450万円〜600万円
��30代：500万円〜750万円
��40代：600万円〜800万円
【その他】
入社に際して転居が必要な場合、当社規定により転居にかかる費用を負担いたします。
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| 勤務地 |
技術研究所(神奈川県横浜市青葉区荏田西1−3−1)
※変更の範囲：（グループ会社含む）海外および全国の拠点 |
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